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JANS1N5416US Produtos semicondutores discretos Diodos retificadores Diodos únicos

Detalhes do produto

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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

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JANS1N5416US

,

Rectificadores de diodos JANS1N5416US

Categoria:
Produtos de semicondutores discretosDiodosRectificadoresDiodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 9 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/411
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, SQ-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, B
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretosDiodosRectificadoresDiodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 9 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/411
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, SQ-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, B
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANS1N5416US Produtos semicondutores discretos Diodos retificadores Diodos únicos

Diodo 100 V 3A Montagem em Superfície B, SQ-MELF