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JANS1N3595US/TR
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Descrição: DIODE GEN PURP 200MA B SQ-MELF

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 nA @ 125 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 200 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-S-19500-241
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, SQ-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, B
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
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200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
JANS1N3595US/TR
Diodo 200mA Monte de superfície B, SQ-MELF

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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