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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N6081/TR

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Descrição: DIODE GEN PURP 150V 2A G AXIAL

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 150 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 37,7 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/503
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
G, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 155°C
Embalagem / Caixa:
G, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
150 V
Corrente - média rectificada (Io):
2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 150 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 37,7 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/503
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
G, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 155°C
Embalagem / Caixa:
G, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
150 V
Corrente - média rectificada (Io):
2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JAN1N6081/TR
Diodo 150 V 2A através do buraco G, axial