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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTXV1N4500

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Descrição: DIODE GEN PURP 75V DO35

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 80 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 300 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/403
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo de recuperação inverso (trr):
6 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
75 V
Corrente - média rectificada (Io):
-
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 80 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 300 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/403
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo de recuperação inverso (trr):
6 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
75 V
Corrente - média rectificada (Io):
-
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
JANTXV1N4500
Diodo de 75 V através do buraco DO-35 (DO-204AH)