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JANS1N5802/TR
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Descrição: DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
875 mV @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANS1N5802/TR
Diodo 50 V 2A através do buraco A, axial

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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