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JANS1N5804

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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL

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Descrição do produto

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos	Estatuto do produto:	Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:	-65°C ~ 175°C	Tipo de Montagem:	Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):	975 mV @ 2,5 A	Pacote:	BULK
Série:	Militar, MIL-PRF-19500/477	Capacidade @ Vr, F:	-
Pacote de dispositivos do fornecedor:	A, axial	Tempo de recuperação inverso (trr):	25 ns
Mfr:	Tecnologia de microchip	Tecnologia:	Padrão
Embalagem / Caixa:	A, axial	Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):	100 V
Corrente - média rectificada (Io):	2A	Velocidade:	Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:	Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:	-65°C ~ 175°C
Tipo de Montagem:	Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):	975 mV @ 2,5 A
Pacote:	BULK
Série:	Militar, MIL-PRF-19500/477
Capacidade @ Vr, F:	-
Pacote de dispositivos do fornecedor:	A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):	25 ns
Mfr:	Tecnologia de microchip
Tecnologia:	Padrão
Embalagem / Caixa:	A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):	100 V
Corrente - média rectificada (Io):	2A
Velocidade:	Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)

JANS1N5804

Diodo 100 V 2A através do buraco A, axial

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

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