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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N3649R

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Descrição: DIODE GEN PURP 800V DO203AA

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de montagem:
Montar de cavalo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.2 V @ 10 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/260
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-203AA (DO-4)
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-203AA, DO-4, Stud
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de montagem:
Montar de cavalo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.2 V @ 10 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/260
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-203AA (DO-4)
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-203AA, DO-4, Stud
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N3649R
Diodo de 800 V montado no parâmetro DO-203AA (DO-4)