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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 4A B AXIAL

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 3 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
100 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-195°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
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5 μA @ 100 V
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1 V @ 3 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
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Embalagem / Caixa:
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100 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
UTX4110
Diodo 100 V 4A através do buraco B, axial

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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