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JANS1N5807
JANS1N5807

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Detalhes do produto

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Descrição: DIODE GEN PURP 50V 6A B AXIAL

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
875 mV @ 4 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/477
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
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Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
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Pacote:
BULK
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Embalagem / Caixa:
B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANS1N5807
Diodo 50 V 6A através do buraco B, axial

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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