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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANS1N6638U/TR

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Descrição: DIODE GEN PURP 125V 300MA D-5B

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 150 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 200 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/578
Capacidade @ Vr, F:
2.5pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-5B
Tempo de recuperação inverso (trr):
4,5 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, E
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
125 V
Corrente - média rectificada (Io):
300 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 150 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 200 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/578
Capacidade @ Vr, F:
2.5pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-5B
Tempo de recuperação inverso (trr):
4,5 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, E
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
125 V
Corrente - média rectificada (Io):
300 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANS1N6638U/TR
Diodo 125 V 300 mA Monte de superfície D-5B