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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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UES1304E3

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 5A B AXIAL

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.25 V @ 3 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
5A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.25 V @ 3 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
5A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
UES1304E3
Diodo 200 V 5A através do buraco B, axial