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JANTX1N649-1
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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 nA @ 600 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 400 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/240
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
400 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N649
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 nA @ 600 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 400 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/240
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Mfr:
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Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
400 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N649
JANTX1N649-1
Diodo 600 V 400 mA através do buraco DO-35

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

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