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UES1003SM-1
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UES1003SM-1

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Descrição: DIODE GEN PURP 1A A SQ-MELF

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 150 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
975 mV @ 1 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, SQ-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, A
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
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1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
UES1003SM-1
Diodo 1A Monte de superfície A, SQ-MELF

Tags:

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