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JANTX1N6625
JANTX1N6625

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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 1100 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.75 V @ 1 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/585
Capacidade @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1100 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6625
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 1100 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.75 V @ 1 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/585
Capacidade @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
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Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1100 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6625
JANTX1N6625
Diodo 1100 V 1A através do buraco A, axial

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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