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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTX1N6077

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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1.3A A-PAK

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
10,76 V @ 18,8 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/503
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A-PAK
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 155°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6077
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
10,76 V @ 18,8 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/503
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A-PAK
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 155°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6077
JANTX1N6077
Diodo 100 V 1.3A através do buraco A-PAK