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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N5194/TR

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Descrição: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1.25 mA @ 80 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/118
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 170°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
70 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1.25 mA @ 80 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/118
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 170°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
70 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
JAN1N5194/TR
Diodo 70 V 200 mA através do buraco DO-35