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JANTXV1N6628/TR
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 660V 1,75A

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 660 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.35 V @ 2 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/590
Capacidade @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
E, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
660 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.75A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
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Estatuto do produto:
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Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 660 V
Tipo de Montagem:
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Pacote:
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Corrente - média rectificada (Io):
1.75A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTXV1N6628/TR
Diodo 660 V 1,75 A através de um buraco

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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