Detalhes do produto
Termos do pagamento & do transporte
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A A-MELF
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
1 μA @ 100 V |
Tipo de montagem: |
Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
875 mV @ 1 A |
Pacote: |
BULK |
Série: |
Militar, MIL-PRF-19500/477 |
Capacidade @ Vr, F: |
25pF @ 10V, 1MHz |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
A-MELF |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
25 ns |
Mfr: |
Tecnologia de microchip |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-65°C ~ 175°C |
Embalagem / Caixa: |
SQ-MELF, A |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
100 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
1A |
Velocidade: |
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número do produto de base: |
1N5804 |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
1 μA @ 100 V |
Tipo de montagem: |
Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
875 mV @ 1 A |
Pacote: |
BULK |
Série: |
Militar, MIL-PRF-19500/477 |
Capacidade @ Vr, F: |
25pF @ 10V, 1MHz |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
A-MELF |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
25 ns |
Mfr: |
Tecnologia de microchip |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-65°C ~ 175°C |
Embalagem / Caixa: |
SQ-MELF, A |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
100 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
1A |
Velocidade: |
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número do produto de base: |
1N5804 |