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JANTX1N6631US/TR
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Descrição: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D-5B

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.6 V @ 1,4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/590
Capacidade @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-5B
Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, E
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1100 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.4A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Tipo de Montagem:
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Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.6 V @ 1,4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/590
Capacidade @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-5B
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1100 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.4A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTX1N6631US/TR
Diodo 1100 V 1.4A Montador de superfície D-5B

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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