logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
produtos
produtos

JAN1N6630US/TR

Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: UFR,FRR

Obtenha o melhor preço
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 900 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1,4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
A partir de 1 de janeiro de 2015
Capacidade @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
E-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, E
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
900 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.4A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 900 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1,4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
A partir de 1 de janeiro de 2015
Capacidade @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
E-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, E
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
900 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.4A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JAN1N6630US/TR
Diodo 900 V 1.4A Montador de superfície E-MELF