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UES1102E3
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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 100 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
975 mV @ 2 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C
Embalagem / Caixa:
Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
2.5A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
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100 V
Corrente - média rectificada (Io):
2.5A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
UES1102E3
Diodo 100 V 2,5 A através do buraco A, axial

Tags:

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