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JANTXV1N6622/TR
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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 660V 1,2A

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 660 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1,2 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/585
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
660 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
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Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 660 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
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Corrente - média rectificada (Io):
1.2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTXV1N6622/TR
Diodo 660 V 1.2A através do buraco A, axial

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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