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NVDSH50120C
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Descrição: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.75 V @ 50 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
3691pF @ 1V, 100 kHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
53A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.75 V @ 50 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
3691pF @ 1V, 100 kHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
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Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
53A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
NVDSH50120C
Diodo 1200 V 53A através do buraco TO-247-2

Tags:

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