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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6074/TR

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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 850MA

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 100 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
20,04 V @ 9,4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 155°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
850 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 100 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
20,04 V @ 9,4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 155°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
850 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
1N6074/TR
Diodo 100 V 850 mA através do buraco A, axial