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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTX1N6631/TR

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Descrição: DIODE GEN PURP 2A E AXIAL

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
4 μA @ 1000 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
10,95 V @ 2 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/590
Capacidade @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
E, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
E, axial
Corrente - média rectificada (Io):
2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
4 μA @ 1000 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
10,95 V @ 2 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/590
Capacidade @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
E, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
E, axial
Corrente - média rectificada (Io):
2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTX1N6631/TR
Diodo 2A através do buraco E, axial