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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 1100 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.75 V @ 1 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, A
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1100 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6625
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 1100 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.75 V @ 1 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
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Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1100 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6625
1N6625US
Diodo 1100 V 1A Montador de superfície A-MELF

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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