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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N6627U/TR

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Descrição: DIODE GP REV 400V 4A E-MELF

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 400 V
Temperatura de funcionamento - Junção:
-
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
A partir de 1 de janeiro de 2018
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
E-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, B
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
400 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6627
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 400 V
Temperatura de funcionamento - Junção:
-
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
A partir de 1 de janeiro de 2018
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
E-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, B
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
400 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6627
JAN1N6627U/TR
Diodo 400 V 4A E-MELF