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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N6622U/TR

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Descrição: DIODE GP REV 660V 1.2A A SQ-MELF

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 660 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1,2 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/585
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, SQ-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
45 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Polaridade inversa padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, A
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
660 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 660 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1,2 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/585
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, SQ-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
45 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Polaridade inversa padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, A
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
660 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JAN1N6622U/TR
Diodo 660 V 1.2A Montador de superfície A, SQ-MELF