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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N6621US/TR

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Descrição: DIODE GEN PURP 75V 200MA D-5A

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 75 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/116
Capacidade @ Vr, F:
20,8 pF @ 1,5 V, 1 MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-5A
Tempo de recuperação inverso (trr):
20 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 200°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, A
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
75 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 75 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/116
Capacidade @ Vr, F:
20,8 pF @ 1,5 V, 1 MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-5A
Tempo de recuperação inverso (trr):
20 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 200°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, A
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
75 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
JAN1N6621US/TR
Diodo 75 V 200 mA Monte de superfície D-5A