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JANTXV1N4946/TR
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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 600 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/359
Capacidade @ Vr, F:
25pF @ 12V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
250 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
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Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 600 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
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Pacote:
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Capacidade @ Vr, F:
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600 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTXV1N4946/TR
Diodo 600 V 1A através do buraco A, axial

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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