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JAN1N6075
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 150V 3A A-PAK

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 150 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
20,04 V @ 9,4 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/503
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 155°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
150 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6075
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 150 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
20,04 V @ 9,4 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/503
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
30 ns
Mfr:
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Tecnologia:
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-65°C ~ 155°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
150 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6075
JAN1N6075
Diodo 150 V 3A através do buraco A, axial

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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