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JAN1N6630/TR
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Descrição: DIODE GEN PURP 900V 1.4A

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 900 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1,4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/590
Capacidade @ Vr, F:
-
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
E, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
900 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.4A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
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900 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.4A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JAN1N6630/TR
Diodo 900 V 1.4A através de um buraco

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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