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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
60 μA @ 1200 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,7 V @ 30 A
Pacote:
Tubos
Série:
Amp+TM
Capacidade @ Vr, F:
1762pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
SemiQ
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
30A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GP3D030
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
60 μA @ 1200 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,7 V @ 30 A
Pacote:
Tubos
Série:
Amp+TM
Capacidade @ Vr, F:
1762pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
SemiQ
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
30A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GP3D030
GP3D030A120B
Diodo 1200 V 30A através do buraco TO-247-2

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

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