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UTR3310

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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 3A B AXIAL

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Descrição do produto

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos	Estatuto do produto:	Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:	5 μA @ 100 V	Tipo de Montagem:	Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):	1.1 V @ 3 A	Pacote:	BULK
Série:	-	Capacidade @ Vr, F:	400 pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:	B, Axial	Tempo de recuperação inverso (trr):	250 ns
Mfr:	Tecnologia de microchip	Tecnologia:	Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:	-65°C ~ 175°C	Embalagem / Caixa:	B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):	100 V	Corrente - média rectificada (Io):	3A
Velocidade:	Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:	Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:	5 μA @ 100 V
Tipo de Montagem:	Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):	1.1 V @ 3 A
Pacote:	BULK
Série:	-
Capacidade @ Vr, F:	400 pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:	B, Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):	250 ns
Mfr:	Tecnologia de microchip
Tecnologia:	Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:	-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:	B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):	100 V
Corrente - média rectificada (Io):	3A
Velocidade:	Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)

UTR3310

Diodo 100 V 3A através do buraco B, axial

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

ST mordido 32 ICS do microcontrolador

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