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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N6623US

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Descrição: DIODE GEN PURP 880V 1A D-5A

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 880 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.55 V @ 1 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/585
Capacidade @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-5A
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, A
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
880 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6623
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 880 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.55 V @ 1 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/585
Capacidade @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-5A
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, A
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
880 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6623
JAN1N6623US
Diodo 880 V 1A Monte de superfície D-5A