logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
produtos
produtos

1N6630/TR

Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 990V 1.4A

Obtenha o melhor preço
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 990 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1,4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
990 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.4A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 990 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1,4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
990 V
Corrente - média rectificada (Io):
1.4A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
1N6630/TR
Diodo 990 V 1.4A através do buraco A, axial