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JANTXV1N6641
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5B

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 200 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/609
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-5D
Tempo de recuperação inverso (trr):
5 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
D, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
300 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6641
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 200 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/609
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Tempo de recuperação inverso (trr):
5 ns
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-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
300 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6641
JANTXV1N6641
Diodo 50 V 300mA através do buraco D-5D

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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