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JAN1N5190
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 600 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 9 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/420
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
400 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5190
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 600 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 9 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/420
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, Axial
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400 ns
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Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5190
JAN1N5190
Diodo 600 V 3A através do buraco B, axial

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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