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GB10MPS17-247
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GB10MPS17-247

Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE SIL CARB 1.7KV 50A TO247-2

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
12 µA @ 1700 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
669pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1700 V
Corrente - média rectificada (Io):
50A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GB10MPS17
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
12 µA @ 1700 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
669pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1700 V
Corrente - média rectificada (Io):
50A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GB10MPS17
GB10MPS17-247
Diodo 1700 V 50A através do buraco TO-247-2

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

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