Detalhes do produto
Termos do pagamento & do transporte
Descrição: DIODE GEN PURP 500V 3A B AXIAL
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
2 μA @ 500 V |
Tipo de montagem: |
Através do Buraco |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
2 V @ 9 A |
Pacote: |
BULK |
Série: |
A partir de 1 de janeiro de 2018 |
Capacidade @ Vr, F: |
- |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
B, Axial |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
300 ns |
Mfr: |
Tecnologia de microchip |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-65°C ~ 175°C |
Embalagem / Caixa: |
B, Axial |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
500 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
3A |
Velocidade: |
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número do produto de base: |
1N5189 |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
2 μA @ 500 V |
Tipo de montagem: |
Através do Buraco |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
2 V @ 9 A |
Pacote: |
BULK |
Série: |
A partir de 1 de janeiro de 2018 |
Capacidade @ Vr, F: |
- |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
B, Axial |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
300 ns |
Mfr: |
Tecnologia de microchip |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-65°C ~ 175°C |
Embalagem / Caixa: |
B, Axial |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
500 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
3A |
Velocidade: |
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número do produto de base: |
1N5189 |