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JANTX1N5618US
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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 600 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 3 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/427
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-5A
Tempo de recuperação inverso (trr):
2 μs
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 200°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, A
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5618
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 600 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 3 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/427
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-5A
Tempo de recuperação inverso (trr):
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-65°C ~ 200°C
Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5618
JANTX1N5618US
Diodo 600 V 1A Monte de superfície D-5A

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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