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JAN1N3595US/TR
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Descrição: DIODE GEN PURP 125V 4A B SQ-MELF

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Descrição do produto
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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 200 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, SQ-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, B
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
125 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
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125 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
JAN1N3595US/TR
Diodo 125 V 4A Monte de superfície B, SQ-MELF

Tags:

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