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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N5550USE3

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 200 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 9 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/420
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, SQ-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
2 μs
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, B
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 200 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 9 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/420
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, SQ-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
2 μs
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, B
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N5550USE3
Diodo 200 V 3A Montador de superfície B, SQ-MELF