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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6661/TR

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Descrição: DIODE GEN PURP 225V 500MA DO35

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 nA @ 225 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 400 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF- 19500/587
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
225 V
Corrente - média rectificada (Io):
500 mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 nA @ 225 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 400 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF- 19500/587
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
225 V
Corrente - média rectificada (Io):
500 mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N6661/TR
Diodo 225 V 500mA através do buraco DO-35 (DO-204AH)