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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N1190

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Chassi, montador de pernas
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 35 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-5
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 190°C
Embalagem / Caixa:
DO-203AB, DO-5, Stud
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
35A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N1190
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Chassi, montador de pernas
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 35 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-5
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 190°C
Embalagem / Caixa:
DO-203AB, DO-5, Stud
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
35A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N1190
1N1190
Diodo 600 V 35A Chassis, montador DO-5