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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N5553

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Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 800 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 9 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/420
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
2 μs
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5553
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 800 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 9 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/420
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
2 μs
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5553
JAN1N5553
Diodo 800 V 3A através do buraco B, axial