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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTX1N4248

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Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A E3

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 800 V
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 3 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/286
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
E3
Tempo de recuperação inverso (trr):
5 μs
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
E3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N4248
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 800 V
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 3 A
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/286
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
E3
Tempo de recuperação inverso (trr):
5 μs
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
E3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N4248
JANTX1N4248
Diodo 800 V 1A E3