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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GP3D040A065U

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Descrição: DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
Amp+TM
Capacidade @ Vr, F:
835pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-3
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
SemiQ
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
40A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GP3D040
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
Amp+TM
Capacidade @ Vr, F:
835pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-3
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
SemiQ
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
40A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GP3D040
GP3D040A065U
Diodo 650 V 40A através do buraco TO-247-3