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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTX1N6643

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Descrição: DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIAL

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 nA @ 20 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/578
Capacidade @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
05 Embalagem de plástico
Tempo de recuperação inverso (trr):
6 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
125 V
Corrente - média rectificada (Io):
300 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6643
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 nA @ 20 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/578
Capacidade @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
05 Embalagem de plástico
Tempo de recuperação inverso (trr):
6 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
125 V
Corrente - média rectificada (Io):
300 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6643
JANTX1N6643
Diodo 125 V 300mA através do buraco 05 do pacote de plástico