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JANTXV1N3595A-1/TR
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 nA @ 125 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
920 mV @ 100 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/241
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
125 V
Corrente - média rectificada (Io):
150 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 nA @ 125 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
920 mV @ 100 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/241
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
125 V
Corrente - média rectificada (Io):
150 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
JANTXV1N3595A-1/TR
Diodo 125 V 150mA através do buraco DO-35

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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